這是誠芯微科技推出的一款集成GaN Mos的45W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)，這款參考設(shè)計(jì)方案由初級氮化鎵合封芯片CX75GD025E，同步整流控制器CX7539F和協(xié)議芯片CX2919C組成整套高效完整解決方案，是市面上一款極具高性價(jià)比的大功率氮化鎵PD全套方案。

  45W集成GaN MOS全套PD方案參考設(shè)計(jì)得益于電源主控使用了合封氮化鎵芯片，使得該方案設(shè)計(jì)的電路十分精簡，有效降低了設(shè)計(jì)與加工成本，縮短生產(chǎn)周期，從而讓PD快充充電器做到了“小體積、大功率、更高性價(jià)比”這一特點(diǎn)。

  45W集成GaN MOS全套PD方案參考設(shè)計(jì)模塊整體小巧。

  輸出端焊接協(xié)議小板，設(shè)有單 USB-C 接口。

  具體參數(shù)： 

  DEMO（L*W*H）:48*41*23mm

  TYPE-C單口輸出：5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V2.25A 3.3-11V 3A 45W Max

  該套方案的核心元件是CX75GD025E合封氮化鎵芯片，這是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準(zhǔn)諧振式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，應(yīng)用于45W內(nèi)高性能、低待機(jī)功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關(guān)電源。

  CX75GD025E集成了完備的保護(hù)功能，包括：Vcc欠壓保護(hù)（UVLO）,Vcc過壓保護(hù)（Vcc_OVP）,輸入欠壓保護(hù)（Brown in）,輸入過壓保護(hù)（Brown out）,輸出過壓保護(hù)（VO_OVP），F(xiàn)B開短路保護(hù)以及副邊SR短路保護(hù)，CS開短路保護(hù)等。

  CX75GD025E提供了優(yōu)良的電磁干擾性能,為需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)很好的設(shè)計(jì)平臺。

  CX75GD025E支持 9-40V 超寬范圍供電，支持最高200KHz 開關(guān)頻率，采用ESOP-10W 封裝，芯片內(nèi)置多重完善保護(hù)功能。

  同步整流控制器采用CX7539F，是一款針對離線式反激變換器的副邊同步整流管 ( MOSFET ) 驅(qū)動的高性能控制器，并且 VCC 具有自供電功能，無需輔助繞組供電并支持寬輸出電壓范圍。支持 High Side 或 Low Side 應(yīng)用場景，支持 CCM/QR/DCM 工作模式。

  CX7539F是一顆高性能的開關(guān)電源次級側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開關(guān)電源應(yīng)用中，輕松滿足6級能效，是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。支持CCM/QR/DCM等開關(guān)電源工作模式應(yīng)用，其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，大幅降低了整流器件的溫度。

  CX7539F是一款內(nèi)置高壓 NMOSFET 同步整流開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，可提供系統(tǒng)高達(dá)5A以內(nèi)的應(yīng)用輸出；IC通過檢測集成 MOSFET 的源漏電壓來決定其開關(guān)狀態(tài)，能夠兼容連續(xù)模式、非連續(xù)和準(zhǔn)諧振工作模式的反激轉(zhuǎn)換器。 

  CX7539F采用特有自供電技術(shù)，可保證在原邊控制系統(tǒng)恒流和恒壓兩種工作狀態(tài)下，芯片都不會欠壓工作。

  誠芯微科技這款45W合封氮化鎵快充方案設(shè)計(jì)全套芯片均為自家自主研發(fā)，集成度高且外圍精簡，待機(jī)功耗較低，非常適合快充電源應(yīng)用。誠芯微科技針對 20W、30W、45W 、65W快充應(yīng)用，推出了合封氮化鎵芯片CX75GDXXXX系列。通過合封氮化鎵的高集成設(shè)計(jì)，簡化實(shí)際應(yīng)用過程中的初級電路，讓氮化鎵快充的研發(fā)變得與傳統(tǒng)硅快充一樣簡單。此外還減少了初級側(cè)的外圍器件數(shù)量，從而降低生產(chǎn)成本。